您好!主营产品:销售国际各大品牌MOS管,TI MOS管,德州仪器MOS管,威世MOS管加入收藏 | 在线留言 | 联系我们
品牌查看Products







联系我们Contact Us
联系我们
东莞市伟铭电子有限公司
地 址:东莞市厚街镇三屯工业区
电 话:0769-85831359
传 真:0769-85820896
手 机:13926819895
联系人:陈先生
邮 箱:dgwmmos@163.com
主 页:www.wmmos.com
您的位置:首页  ->  公司动态

TI MOS管的由来和发展进程


TI MOS管由金属氧化物半导体制作,主要用于放大信号和开关电子信号,在大规模集成电路中的应用较为广泛,通过对电流变化的敏感和控制实现电路系统的开闭控制。贝尔实验室通过给新型的双极晶体管进行定义,成为最早的场效应管。

在TI MOS管的氧化物绝缘栅电极上的电压可以诱发一个导电通道称为源极和漏极之间的两个其他方面的接触。 n型或p型通道可以(上看到的文章半导体器件 ),并相应地称为NMOSFET或PMOSFET(通常也NMOS,PMOS)。 这是迄今为止最常见的数字和模拟电路的晶体管,双极型晶体管虽然一次是更为常见。

现在意义上TI MOS管中的金属元件的定义已经转变成为多晶硅,这种材料作为制作栅极材料,工作性能良好,能够增加栅极的工作速度,对电流形成稳定的控制效果。

[返回]