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飞兆MOS管影响开关性能的参数


   飞兆MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,了解不同的飞兆MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题,如下:
   飞兆MOS管的步骤顺序,如下:
   第一步:选用N沟道还是P沟道
   第二步:确定额定电流
   第三步:确定热要求
   第四步:决定开关性能 
   飞兆MOS管取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工业设计,可采用较高的电压。飞兆MOS管影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗,设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。
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