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飞兆MOS管包括哪些条件


      飞兆MOS管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确 定,并随温度而显著变化。由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施 加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电 气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
      飞兆MOS管主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高,MOS管需要承受的电流也随着增强,提供近百A的电流已经很常见了。如此巨大的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的安全,高品质主板也开始为MOS管加装散热片了。
      所谓飞兆MOS管就是绝缘栅极场效应三极管,分为N沟道和P沟道(主板上一般用N沟道的MOS管),而每种沟道的管子的类型又分成增强型和耗尽型两种,如果栅极为悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即IDSS.
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