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安森美MOS管的最大特色


    安森美MOS管经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值,非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。还深思熟虑,确保这些MOSFET提供较现有器件更优的热性能和低封装阻抗及感抗。
    安森美MOS管优化了新功率MOSFET的设计、材料及封装,以降低损耗。0.7毫欧(mΩ)的一流导通阻抗(RDSon)性能和3780皮法(pF)的低输入电容确保导电、开关及驱动器等损耗降至最低。安森美半导体还深思熟虑,确保这些MOSFET提供较现有器件更优的热性能和低封装阻抗及感抗。
    东莞市伟铭电子有限公司是一家专业的、独立的IGBTs、MOSFETs代理商及分销商。公司代理TI 、ON、VISHAY、NXP、Fairchild在中国大陆销售,并分销国内外其他品牌的IGBTs、MOSFETs。在海外、香港和台湾都有自己的仓库和现货供应,无论从货源、品质或者从价格上考虑都是您首选的供应商! 
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