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vishay场效应管代理研究关于驱动电路的问题


    vishay场效应管代理工作在高频时, 为了防止振荡, 有两点必须注意: 第一, 尽可能减少MOSFET 各端点的连接线长度, 特别是栅极引线.如果无法使引线缩短,靠近栅极处串联一个小电阻以便控制寄生振荡; 第二, 由于MO SFET 的输入阻抗高, 驱动电源的阻抗必须比较低, 以避免正反馈所引起的振荡,特别是MO SFET 的直流输入阻抗非常高, 但它的交流输入阻抗是随频率而改变的, 因此vishay场效应管代理的驱动波形的上升和下降时间与驱动脉冲发生器阻抗有关。
   vishay场效应管代理的栅—源极间的硅氧化层的耐压是有限的, 如果实际的电压数值超过元件的额定值,则就会被击穿,产生永久性的损坏。实际的栅—源电压最大值在20~ 30V 之间。值得指出的是, 即使实际电压为20V,仍然要细致分析一下是否会出现由于寄生电感引起的电压快速上升的尖峰, 引起击穿MOSFET的硅氧化层问题。
    vishay场效应管代理并保证较高的关断速度。
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