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德州仪器MOS管代理讲述MOSFET技术的发展历程


    德州仪器MOS管代理述一下关于MOSFET技术的发展历程,设计得以实现,全面满足这些要求。
    随着新的硅技术的开发,更小尺寸和更低特定导通电阻器件的技术的改进使得器件的跨导更高,具有更低的门电荷和更快的开关速度。现今行业的状况是特为DC/DC转换而优化的开关速度和减少安全工作区域 (SOA) 技术,将不适合汽车电机应用。
    为了控制系统EMI (电磁干扰) 和电机绕组损耗,电机驱动器设计人员尝试减慢MOSFET的开关速度,这与通常在高频DC/DC转换器中的做法完全相反。采用沟道技术的高跨导器件因其固有特性的缘故,开关速度难以减慢,因而不适合在需要并联器件的场合使用。与裸片尺寸相同的平面技术器件相比,沟道器件的SOA也较小,故并不适用于线性稳压器设备。未来的沟道技术将向两个不同方向发展,分别满足低频/线性模式电机驱动器和高频DC/DC转换器的要求。
    德州仪器MOS管代理认为MOSFET采用功率MOS技术作为基础,就能比较容易地集成各项功能,包括输入静电释放(ESD)保护、电流感应、过流限制、温度感应、有源箝位及串联门电阻器。

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