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飞兆MOS管介绍双极结型三极管的相关信息


    飞兆MOS管主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻。它也分N沟道管和P沟道管,通常是将衬底与源极S接在一起。
    双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流 IC 。 在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压 降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
    飞兆MOS管绍双极结型三极管的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压。
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