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TI MOS管为何要讲述一下MOS管的相关信息


    TI MOS管是一种非常栅电荷,可以提升高功率计算、网络、服务器系统和电源中的能源利用率。下面就由伟铭电子告诉您一些官员MOS管的相关知识点,如下:
    MOS管也叫做场效应管,是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型。同时,MOS管是小电压控制电流的,MOS管的输入电阻极大,兆欧级的,容易驱动。
    首先讲述的是,MOS管有一个很主要的特征是导通特性。其中MOS管导通受到两个影响就是NMOS和PMOS。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况,只要栅极电压达到4V或10V就可以了。而PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况。
    接着讲述的是,MOS管驱动的工作原理。在GS,GD之间存在寄生电容,MOS管的驱动三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。
    同时,TI MOS管希望大家要注意一些细节问题,那就是第一,如果普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压,这种情况下,我们该怎么办呢?应该注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。第二,如果注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管,这种情况时,怎么办?现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,应该设计时当然需要有一定的余量。第三,导通电阻小,且容易制造损坏,该怎么办?最好是开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。上面的这些细节问题,我相信很多人都没有注意到的,希望能够帮助到您!
    上面就是通过三个方面来告诉大家MOS管的相关信息,如果有什么不懂,请登录http://www.wmmos.com,转载时请注明出

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