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讲述一下mos晶体管形成方法?


    一种P型MOS晶体管的阈值电压调节方法,包括提供半导体衬底,在半导体衬底上形成P型MOS晶体管,还包括在P型MOS晶体管的源、漏延伸区进行第二N型离子注入步骤。
    本发明还提供了一种P型MOS晶体管及其形成方法,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第I区域和与第I区域同心的第Ⅱ区域,所述第Ⅱ区域占整个半导体衬底面积的15%至25%;在半导体衬底上形成P型MOS晶体管,还包括在半导体衬底上的第Ⅱ区域的源、漏延伸区进行第二N型离子注入步骤。    本发明通过在半导体衬底上第Ⅱ区域进行第二N型离子注入,增大了半导体衬底第Ⅱ区域表面的掺杂浓度,从而达到抑制半导体衬底第Ⅱ区域的P型MOS晶体管的阈值电压的降低。
    
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