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mos晶体管沟道的形成


    mos晶体管沟道的形成在电子元件中是特有的一种现象,同时在功能上具有很好的促进作用。电路中沟道的形成与电路中的电压施加方式有关,漏极和源极之间的关系在相当于一个二极管电路两端,如果此时的Vgs=0 V,那么即使在D、S之间加上电压,也不会形成电流。
  如果只是在柵极处施加电压,不断增加Vgs,因为这个时候柵极的电压很强,所以在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子,形成沟道,连接漏极和源极。如果在mos晶体管中施加的是漏源电压,则形成漏极电流。在栅极下方形成的导电沟道中的电子,因与P型半导体的载流子空穴极性相反,故称为反型层(inversion layer)。随着Vgs的继续增加,ID将不断增加。
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