您好!主营产品:销售国际各大品牌MOS管,TI MOS管,德州仪器MOS管,威世MOS管加入收藏 | 在线留言 | 联系我们
品牌查看Products







联系我们Contact Us
联系我们
东莞市伟铭电子有限公司
地 址:东莞市厚街镇三屯工业区
电 话:0769-85831359
传 真:0769-85820896
手 机:13926819895
联系人:陈先生
邮 箱:dgwmmos@163.com
主 页:www.wmmos.com
您的位置:首页  ->  公司动态

MOS晶体管的工作特点


MOS晶体管栅极控制器件,源、漏扩散区为反偏pn结,外加电压,器件不导通,处于隔离状态;外加栅极电压,直到电压达到一个阈值(称为阈值电压VT),器件导通。
以SiO2为栅介质时,叫MOS器件,这是最常使用的器件形式。历史上也出现过以Al2O3为栅介质的MAS器件和以 Si3N4为栅介质的MNS器件,以及以SiO2+Si3N4为栅介质的MNOS器件,统称为金属-绝缘栅-半导体器件--MIS 器件。
以Al为栅电极时,称铝栅器件。以重掺杂多晶硅(Poly-Si) 为栅电极时, 称硅栅器件。它是当前MOS器件的主流器件。 硅栅工艺是利用重掺杂的多晶硅来代替铝做为MOS晶体管的栅电极,使MOS电路特性得到很大改善,它使|VTP|下降1.1V,也容易获得合适的VTN值并能提高开关速度和集成度。
硅栅工艺具有自对准作用,这是由于硅具有耐高温的性质。栅电极,更确切的说是在栅电极下面的介质层,是限定源、漏扩散区边界的扩散掩膜,使栅区与源、漏交迭的密勒电容大大减小,也使其它寄生电容减小,使器件的频率特性得到提高。另外,在源、漏扩散之前进行栅氧化,也意味着可得到浅结。
铝栅工艺为了保证栅金属与漏极铝引线之间有一定的间隔,要求漏扩散区面积要大些。而在硅栅工艺中覆盖源漏极的铝引线可重迭到栅区,这是因为有一绝缘层将栅区与源漏电极引线隔开,从而可使结面积减少30%~40%。
硅栅工艺还可提高集成度,这不仅是因为扩散自对准作用可使单元面积大为缩小,而且因为硅栅工艺可以使用“二层半布线”即一层铝布线,一层重掺杂多晶硅布线,一层重掺杂的扩散层布线。由于在制作扩散层时,多晶硅要起掩膜作用,所以扩散层不能与多晶硅层交叉,故称为两层半布线.铝栅工艺只有两层布线:一层铝布线,一层扩散层布线。硅栅工艺由于有两层半布线,既可使芯片面积比铝栅缩小50%又可增加布线灵活性。
当然,硅栅工艺较之铝栅工艺复杂得多,需增加多晶硅淀积、等离子刻蚀工序,而且由于表面层次多,台阶比较高,表面断铝,增加了光刻的困难,所以又发展了以Si3N4作掩膜的局部氧化LOCOS--Local oxidation on silicon (又称为 MOSIC 的局部氧化隔离工艺Local Oxidation Isolation for MOSIC) ,或称等平面硅栅工艺。

[返回]