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MOS晶体管 - MOS管的模型


(1)LG和RG代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻。
(2)C1代表从栅极到源端N+间的电容,它的值是由结构所固定的。
(3)C2+C4代表从栅极到源极P区间的电容。C2是电介质电容,共值是固定的。而C4是由源极到漏极的耗尽区的大小决定,并随栅极电压的大小而改变。当栅极电压从0升到开启电压UGS(th)时,C4使整个栅源电容增加10%~15%。
(4)C3+C5是由一个固定大小的电介质电容和一个可变电容构成,当漏极电压改变极性时,其可变电容值变得相当大。
(5)C6是随漏极电压变换的漏源电容。
  MOS管输入电容(Ciss)、跨接电容(CRSS)、输出电容(Coss)和栅源电容、栅漏电容、漏源电容
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