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飞兆MOS管的开启和关闭的功能


飞兆MOS管应用于电路中的驱动设计时,有很多寄生参数会影响飞兆MOS管的开关性能,影响最大的是源边感抗,通过对飞兆MOS管的结构和性能分析,发现源边感抗的主要来源是晶圆DIE和封装之间的Bonding线的感抗,另一种是在源边引脚接到地的PCB走线的感抗上,通过在一定条件下加入测量电阻可以产生额外的源边感抗。

源边感抗的存在会导致飞兆MOS管的开启和关断时间延迟增加,因为在在开启和关段初期,电流的变化被拽了,使得充电和放电的时间变长了。同时源感抗和等效输入电容之间会发生谐振(这个谐振是由于驱动电压的快速变压形成的,也是我们在G端看到震荡尖峰的原因),通过加入门电阻Rg和内部栅极电阻Rm都会抑制这个震荡。

在飞兆MOS管的电路驱动设计中,对源边感抗进行抑制有利于对电路的运行进行控制,保证集成电路的安全稳定,防止电流输入过大引起电子元件的损坏。