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德州仪器MOS管怎样降低导通电阻的信息?


    在不同代功率MOS管中其措施各有不同,但总的原则是使漏极下的横向电阻RB尽量小。不同耐压的MOS管,其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。其外延层电阻仅为总导通电阻的29%,耐压600V的MOSFET的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。
    德州仪器MOS管由此可以推断耐压800V的MOSFET的导通电阻将几乎被外延层电阻占据。如果想获得高阻断电压,就必须采用高电阻率的外延层,并增厚,这就是常规高压MOSFET结构所导致的高导通电阻的根本原因。
    同时,增加管芯面积虽能降低导通电阻,但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流子导电虽能降低导通压降,但付出的代价是开关速度的降低并出现拖尾电流,开关损耗增加,失去了 德州仪器MOS管的高速的优点。