您好!主营产品:销售国际各大品牌MOS管,TI MOS管,德州仪器MOS管,威世MOS管加入收藏 | 在线留言 | 联系我们
品牌查看Products







联系我们Contact Us
联系我们
东莞市伟铭电子有限公司
地 址:东莞市厚街镇三屯工业区
电 话:0769-85831359
传 真:0769-85820896
手 机:13926819895
联系人:陈先生
邮 箱:dgwmmos@163.com
主 页:www.wmmos.com
您的位置: 首页 ->  行业资讯 -> 半导体被掺杂对结构的影响

半导体被掺杂对结构的影响


    掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同,本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶,而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。假设掺杂硼原子进入硅,则因为硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特,远小于硅本身的能隙1.12电子伏特,所以在室温下就可以使掺杂到硅里的硼原子完全解离化(ionize)。
    掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值,这个特性会引出很多其他有用的电特性。举例来说,一个p-n接面(p-n junction)的能带会弯折,起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同,但是形成p-n接面后其费米能阶必须保持在同样的高度,造成无论是p型或是n型半导体的传导带或价带都会被弯曲以配合接面处的能带差异。
    上述的效应可以用能带图(band diagram)来解释,。在能带图里横轴代表位置,纵轴则是能量。图中也有费米能阶,半导体的本质费米能阶(intrinsic Fermi level)通常以Ei来表示。在解释半导体元件的行为时,能带图是非常有用的工具。